电路中MOS管的普遍用法讲解 MOS管相对于三极管，因其没有结点电压，深受广大电子发烧友欢迎。这里重点讲MOS的基础特性与实际应用。一、MOS管的基础特性（1）MOS管有栅极G，漏极D，源极S；（2）PMOS管（类似于PNP），低电平导通，高电平截止；（3）NMOS管（类似于NPN），高电平导通，低电平截止。二、MOS管的开关特性应用1、阻断VCC端用于阻断VCC端，使用PMOS管，且源端S接VCC端。使用Multisum仿真，效果如下：（1）G极接低电平（2）G极接高电平2、阻断GND端用于阻断GND端，使用NMOS管，且源端S接GND端。使用Multisum仿真，效果如下：（1）G极接低电平（2）G极接高电平三、MOS管的实际应用（1）替换三极管因MOS管没有结点电压，三极管有0.3V的CE极结点电压，故常用于替换三极管，做信号端控制。（2）用于低功耗电路的电源输出控制在做电池供电类的低功耗产品时，对于主控休眠时，需要对不工作的电路部分，进行断电，来减少电量损耗。如遥控器不操作时，芯片休眠，且断开对射频部分的供电。（3）用于防反接电路防止电路中，VCC与GND接反，导致电路烧坏。（4）用于推挽输出

半桥，全桥，反激，正激、推挽拓扑结构的区别和特点 1. 单端正激式单端:通过一只开关器件单向驱动脉冲变压器.正激:脉冲变压器的原/付边相位关系，确保在开关管导通，驱动脉冲变压器原边时，变压器付边同时对负载供电。★ 该电路的最大问题是： 开关管T交替工作于通/断两种状态，当开关管关断时，脉冲变压器处于“空载”状态，其中储存的磁能将被积累到下一个周期，直至电感器饱和，使开关器件烧毁。图中的D3与N3构成的磁通复位电路，提供了泄放多余磁能的渠道。2. 单端反激式反激式电路与正激式电路相反，脉冲变压器的原/付边相位关系，确保当开关管导通，驱动脉冲变压器原边时，变压器付边不对负载供电，即原/付边交错通断。脉冲变压器磁能被积累的问题容易解决，但是，由于变压器存在漏感，将在原边形成电压尖峰，可能击穿开关器件，需要设置电压钳位电路予以保护D3、N3构成的回路。从电路原理图上看，反激式与正激式很相象，表面上只是变压器同名端的区别，但电路的工作方式不同，D3、N3的作用也不同。3.推挽（变压器中心抽头）式这种电路结构的特点是： 对称性结构，脉冲变压器原边是两个对称线圈，两只开关管接成对称关系，轮流通断，工作过程类似于线性放大电路中的乙类推挽功率放大器。 ★ 主要优点： 高频变压器磁芯利用率高（与单端电路相比）、电源电压利用率高（与后面要叙述的半桥电路相比）、输出功率大、两管基极均为低电平，驱动电路简单。★ 主要缺点： 变压器绕组利用率低、对开关管的耐压要求比较高（至少是电源电压的两倍）。4. 全桥式这种电路结构的特点是：由四只相同的开关管接成电桥结构驱动脉冲变压器原边。图中T1、T4为一对，由同一组信号驱动，同时导通/关端；T2、T3为另一对，由另一组信号驱动，同时导通/关端。两对开关管轮流通/断，在变压器原边线圈中形成正/负交变的脉冲电流。★ 主要优点：与推挽结构相比，原边绕组减少了一半，开关管耐压降低一半。 ★ 主要缺点：使用的开关管数量多，且要求参数一致性好，驱动电路复杂，实现同步比较困难。这种电路结构通常使用在1KW以上超大功率开关电源电路中。5. 半桥式电路的结构类似于全桥式，只是把其中的两只开关管（T3、T4）换成了两只等值大电容C1、C2。★ 主要优点： 具有一定的抗不平衡能力，对电路对称性要求不很严格；适应的功率范围较大，从几十瓦到千瓦都可以；开关管耐压要求较低；电路成本比全桥电路低等。这种电路常常被用于各种非稳压输出的DC变换器，如电子荧光灯驱动电路中。